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Si4830ADY
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
25
20
15
10
V GS = 10 V thr u 5 V
4 V
30
25
20
15
10
T C = 125 °C
5
3 V
5
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0.040
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.030
0.020
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
960
720
4 8 0
C iss
0.010
240
C rss
C oss
0.000
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 7.5 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 72021
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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